催化剂对热蒸发法生长SnO 2 纳米晶体质量的影响及其发光光谱研究

用热蒸发法制备了SnO 2 纳米结构，并用光致发光方法研究了其光谱特性.发现有催化剂条件下制备的SnO 2 纳米带的发光主峰为3.68 eV, 正对应SnO 2 纳米晶体的带隙能量; 而无催化条件下制备的SnO 2 纳米晶体的发光则以氧空位、悬键和表面态发光为主.并且前者的发光效率比后者提高近两个数量级，这些实验结果说明在有催化条件下制备了高质量的SnO 2 纳米带.另外,对其发光光谱进行了Gauss拟合, 从拟合结果发现了(101)和(101) T 孪生晶面的表面态的发光峰.