Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge （001） substrates with zero interface layer

GHO (做 Gd2O3 的 HfO2 ) 拍摄取向附生地在用搏动的激光免职(PLD ) 与零接口层采用 cube-on-cube 模式的 Ge (001 ) 底层上被种。思考高精力的电子衍射(RHEED ) 和高分辨率的传播电子显微镜学(HRTEM ) 观察揭示了 GHO/Ge 和相应于的取向关系的一个锋利的接口(001 )GHO//(001 ) Ge 并且[011 ]GHO//[011 ] Ge。为 GHO/Ge 栈的乐队偏移量被评估为由 X 光检查光电子光谱的传导乐队是为原子价乐队和 1.38 eV 的 3.92 eV。小相等的氧化物厚度(0.49 nm ) 和接口说密度(7 ???????????????????E 湚 ???? 打′ ? 呚 ? ‰ ?? 金 ?? € 畅湚 ?? つ金打′ ? 呚 ? ‰ ???????E 摃吗？？