リン化硼素系半導体層、その製造方法、半導体素子

(57)【要約】 【課題】格子ミスマッチ度が大きな結晶基板上に、連続 性に優れるリン化硼素系半導体層を得るための気相成長 方法を提供する。 【解決手段】結晶基板の表面上に、硼素（Ｂ）とリン （Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素系半導体層を 気相成長させるリン化硼素系半導体層の製造方法に於い て、結晶基板の表面に、硼素またはリンの何れかを含む 粒子を予め形成し、その後結晶基板の表面上に、リン化 硼素系半導体層を気相成長させる。