Bipolarhalbleiterbauelement and manufacturing processes

Bipolarhalbleiterbauelement (100), umfassend: ein Halbleitersubstrat (20), das eine erste Oberflache (15), eine gegenuberliegende Oberflache (16), einen zwischen der ersten Oberflache (15) und der gegenuberliegenden Oberflache (16) angeordneten ersten und zweiten pn-Ubergang (11, 12) umfasst; eine auf der ersten Oberflache (15) angeordnete erste Metallisierung (7); eine auf der gegenuberliegenden Oberflache (16) angeordnete zweite Metallisierung (8); und eine bei dem ersten pn-Ubergang (11) und der ersten Oberflache angeordnete isolierte Gateelektrode (9); wobei das Halbleitersubstrat (20) weiter ein Driftgebiet (2) vom n-Typ, ein mit dem Driftgebiet (2) den ersten pn-Ubergang (11) bildendes Bodygebiet (3) vom p-Typ und ein das Bodygebiet (3) elektrisch mit der ersten Metallisierung (7) verbindendes Bodykontaktgebiet (5) vom p-Typ, das hoher dotiert ist als das Bodygebiet (3), umfasst, und wobei das Bipolarhalbleiterbauelement (100) weiterhin eine Locherstromumverteilungsstruktur (10) umfasst, die vollstandig in das Bodygebiet (3) eingebettet und von diesem umgeben ist, und zwischen der ersten Metallisierung (7) und dem ersten pn-Ubergang (11) angeordnet ist, wobei die Locherstromumverteilungsstruktur (10) in einer Projektion auf die erste Oberflache (15) mit dem Bodykontaktgebiet (5) uberlappt und von einem porosen Halbleitergebiet, einem isolierenden Gebiet, einem Hohlraum oder einem Teilgebiet (10) des Bodygebiets (3) gebildet wird, wobei das Teilgebiet vom p-Typ ist und zusatzliche Streuzentren fur Locher umfasst.