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1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
2015
akira kazitani
hiroyuki handa
sinzi uzita
Keywords:
Schottky barrier
p–n diode
Gallium nitride
Metal–semiconductor junction
Electronic engineering
PIN diode
Schottky diode
Materials science
Optoelectronics
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