A nonvolatile semiconductor memory device and method for preparing a three-dimensional

本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法，包括多个垂直方向的三维NAND存储串，每一个三维NAND存储串包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的源区、漏区和沟道。 本发明采用浮栅晶体管作为存储单元，采用硫系化合物作为沟道材料，存储单元采用围栅结构，并且沟道区域与源漏区域采用同种材料，形成无结结构，很好的避免了短沟效应。