Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
活性ゲートとコバルト局所相互接続上の接触10nm高性能および低電力CMOS技術を特徴とする3~rd発生FinFETトランジスタ,自己整合4パターン形成【Powered by NICT】
活性ゲートとコバルト局所相互接続上の接触10nm高性能および低電力CMOS技術を特徴とする3~rd発生FinFETトランジスタ,自己整合4パターン形成【Powered by NICT】
2017
C. Auth
A. Aliyarukunju
M. Asoro
D. Bergström
V. Bhagwat
J Birdsall
N. Bisnik
M. Buehler
V. Chikarmane
G Ding
Q. Fu
H. Gómez
W. Han
D. Hanken
M. Haran
M. Hattendorf
R. Heussner
H. Hiramatsu
B. Ho
S. Jaloviar
I. Jin
S. Joshi
S. Kirby
S. Kosaraju
H. Kothari
G. Leatherman
K. Lee
J. Leib
A. Madhavan
K. Marla
H. Meyer
T. Mule
C. Parker
S. Parthasarathy
C. Pelto
L. Pipes
I. Post
M. Prince
Arifur Rahman
S. Rajamani
A. Saha
Santos J. Dacuna
M. Sharma
V. Sharma
J Shin
P. Sinha
P Smith
M. Sprinkle
A. Amour
C. Staus
R. Suri
D. Towner
A. Tripathi
A. Tura
C Ward
A. Yeoh
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]