Procédé permettant de fabriquer un transistor à effet de champ à grille isolée semi-conducteur présentant plusieurs couches de source(s) et/ou de drain(s) métalliques déposées

Un transistor a effet de champ a sources/drains metalliques est fabrique de telle sorte que les regions sources/drains soient des structures multicouches soumises a un depot, avec au moins un second metal depose sur les surfaces exposees d'un premier metal.