Diseño de amplificadores de bajo ruido en banda milimétrica

Sin tener en cuenta introduccion y conclusiones, la tesis doctoral esta dividida en 6 capitulos. Los dos primeros tratan del ruido electrico asociado a los dispositivos activos (transistores Gaas Fet y Hemt) utilizados en los amplificadores, y de su medicion. En el capitulo i se propone y desarrolla una formulacion del error cometido en las medidas de factor de ruido que utilicen el metodo del factor y, y se presentan las cotas calculadas para la medida de dos amplificadores, en la banda de 2.6 GHZ y 30 GHZ, respectivamente. En el capitulo II se propone y desarrolla una formulacion para la extraccion del factor de ruido a partir de medidas no corregidas, cuya finalidad es incrementar la precision en la medicion de este respecto a los metodos convencionales. Tambien se proponen metodos de medida de los parametros de ruido basados en medidas redundantes del factor de ruido y se presentan resultados experimentales a 2 GHZ. En los capitulos III, IV y v se trata el tema de la medida de los parametros s de los dispositivos activos (transistores Gaas Fet y Hemt) utilizados en la banda milimetrica (hasta 40 GHZ), poniendo un enfasis especial en el estudio de las tecnicas de calibracion de analizadores de redes y de los errores de medida. El capitulo III pasa revista de las tecnicas de calibracion mas utilizadas actualmente, en particular la denominada TRL/Thru-Reflect-Line, que permite medir los parametros s en medios de transmision planares (tales como Microstrip y CPW) con elevada precision. El capitulo IV propone y desarrolla teoricamente una formulacion para los errores residuales de la calibracion TRL y su repercusion en la precision de las medidas de parametros utilizando dicha tecnica. En el capitulo v se describen las tecnicas de diseno de dispositivos de calibracion y medida (test fixtures) en tecnologia Microstrip para transistores chip, ente 1 y 43 GHZ. Se presentan resultados experimentales hasta 40 GHZ utilizando dos textos