Metallization of Cu3N Semiconductor under High Pressure

用四探查的方法，我们与钻石铁砧房间在高压力下面调查电的传导性 ofCu3N。Cu3N 是在周围的压力 howing 的一个半导体乐队差距大约 1 eV。用伪静水力学的压力的应用程序，它的电阻在五个数量级上戏剧性地减少从对 9 GPa 周围。混合物成为了金属在迫使大约 5.5 GPa，它在对的井同意最近第一原则计算。