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Acemap > Paper > 3a-A8-3 シリコン半導体を用いた重水素負イオンの生成(プラズマ物理・核融合(プラズマ発生・加熱))

3a-A8-3 シリコン半導体を用いた重水素負イオンの生成(プラズマ物理・核融合(プラズマ発生・加熱))

1985 
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