V 2 O 5 掺杂对ZnNb 2 O 6 介质陶瓷性能的影响
2006
采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能.结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加.经1 050 ℃烧结,1.0%V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,er=28,tan δ=0.000 6,τf=-42.50×10-6 ℃-1.
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