A semiconductor device manufacturing method thereof and electronic apparatus

Die Halbleitervorrichtung beinhaltet eine erste Schicht, die einen ersten Transistor aufweist, eine zweite Schicht, die uber der ersten Schicht liegt und einen ersten isolierenden Film aufweist, eine dritte Schicht, die uber der zweiten Schicht liegt und einen zweiten isolierenden Film aufweist, und eine vierte Schicht, die uber der dritten Schicht liegt und einen zweiten Transistor aufweist. Ein erster leitender Film verbindet durch eine Offnung, die in dem ersten isolierenden Film bereitgestellt ist, den ersten Transistor und den zweiten Transistor elektrisch miteinander. Ein zweiter leitender Film verbindet durch eine Offnung, die in dem zweiten isolierenden Film bereitgestellt ist, den ersten Transistor, den zweiten Transistor und den ersten leitenden Film elektrisch miteinander. Ein Kanalbildungsbereich des ersten Transistors enthalt einen einkristallinen Halbleiter. Ein Kanalbildungsbereich des zweiten Transistors enthalt einen Oxidhalbleiter. Die Breite einer Unterseite des zweiten leitenden Films ist 5 nm oder kleiner.