Systeme et procede de traitement de semi-conducteurs a decharge unique et comprenant divers motifs d'irradiation

L'invention concerne des systemes et des procedes a haut debit permettant de recristalliser des semi-conducteurs a couches minces qui ont ete deposes a de faibles temperatures sur un substrat. Une piece d'usinage d'un semi-conducteur a couches minces est irradiee par un faisceau laser de facon a fondre et a recristalliser des zones cibles de la surface exposee au faisceau laser. Ce faisceau laser se presente sous forme d'au moins un petit faisceau au moyen de masques de placement de motifs. Les motifs du masque presentent des dimensions et des orientations appropriees pour placer les motifs du rayonnement de faisceaux laser de sorte que les zones ciblees par les petits faisceaux presentent des dimensions et des orientations qui generent la recristallisation des semi-conducteurs. La piece a usiner est transferee mecaniquement le long de chemins lineaires par rapport au faisceau laser de facon a traiter toute la surface de la piece a usiner a grande vitesse. Le declenchement sensible a la position d'un laser peut etre utilise pour generer des impulsions de faisceaux laser afin de fondre et de recristalliser la matiere semi-conductrice situee a des emplacements precis sur la surface de la piece a usiner tout en la transferant sur un etage motorise.