グラフェンの作製方法、グラフェン、グラフェン作製装置及び半導体素子

【課題】半導体製造プロセスに適するグラフェン構造の作成方法及び作成装置を提供する。 【解決手段】少なくとも水素または希ガスの１種を含む第１のガスから生成する第１プラズマを、基板３０に担持された少なくともＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅのいずれかを含む薄膜に供給する第１工程と、炭化水素系ガスを含む第２のガスから、ラジカルを含む第２プラズマを生成し、前記第２プラズマを、前記ラジカル以外の第２プラズマの進入を遮蔽する平板電極４を通して前記ラジカルを前記薄膜に供給する第２工程と、希ガスを含む第３のガスから生成する第３プラズマを、前記薄膜に供給する第３工程とを含む。 【選択図】図１