高压LDMOS I—V特性宏模型的建立

目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中，建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析，公式复杂而且计算量大。因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程。建立了LDMOS I-V特性的宏模型。该模型的特点是参数少，易于提取，得到的SPICE等效电路简单，仿真容易收敛。