单晶GdBa2Cu3O(下标 6+δ)顺磁性和超导性的研究

掺杂有顺磁性稀土元素离子的高温超导体的磁滞回线因包含有顺磁的贡献而变宽，使根据Bean模型得到的临界电流密度偏离了其真实的值。本文对描述其中顺磁性磁化强度贡献的扩展Brillouin函数进行了修正，并将该种描述方法应用于单晶GdBa2Cu3O(下标 6+δ)样品。外场低于临界场H(下标 C1)时，顺磁性对总的磁化强度没有贡献；外场高于H(下标 C1)的磁场下，磁场增加和磁场降低时顺磁性的磁化贡献并不相等。由此验证了在GdBa2Cu3O(下标 6+δ)的晶体结构中，超导电流沿Cu-O面流动，对位于两层Cu-O面间的顺磁性离子产生屏蔽作用。GdBa2Cu3O(下标6+δ)中超导性和顺磁性相互独立共存，超导性通过电流的屏蔽作用间接的影响了顺磁性的贡献。