Études de la durée de vie et du bruit de génération recombinaison controlés par les dislocations dans le germanium

Une etude du bruit de generation-recombinaison et de la duree de vie mesuree par decroissance de la photoconductivite est effectuee sur une serie d'echantillons des types p et n de germanium dope en impuretes peu profondes. Les dislocations creees a la naissance du cristal, sont representees par un niveau accepteur situe environ a 0,15 eV au dessous du bas de la bande de conduction, jouant le rǒle de centre recombinant. La variance des porteurs et les durees de vie mesurees sont, dans le domaine 250°K a 350°K, dues aux processus du type Shockley-Read de transitions bande a bande, par l'intermediaire de ces niveaux de dislocations. Generation-recombination noise and lifetime are measured using the photoconductive decay, in n- and p-type Ge samples doped with shallow impurities. The dislocations formed during the crystal growth lead to acceptor levels, lying about 0.15 eV below the bottom of the conduction band which act as recombination centres. Carrier variance and lifetimes measured in the temperature range 250 to 350°K, can be explained by a Shockley-Read type recombination process acting through these dislocationl evels.