Heterostructure avec dopage par donneurs sur la face arriere

La presente invention concerne une heterostructure comprenant une couche tampon ou substrat, un canal agence sur cette couche tampon ou substrat ainsi qu'une couche superficielle agencee sur ledit canal, lequel est constitue d'un materiau piezo-polaire. Le dopage s'effectue soit au niveau de la zone autour de l'interface entre la couche tampon ou substrat et le canal, soit au niveau de la zone autour de l'interface entre le canal et la couche superficielle, de sorte que des charges piezo-electriques presentes au niveau de chaque interface sont compensees.