Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
차세대 비 휘발성 메모리 적용을 위한 Staggered tunnel barrier ($Si_3N_4$/HfAlO) 에 대한 전기적 특성 평가
차세대 비 휘발성 메모리 적용을 위한 Staggered tunnel barrier ($Si_3N_4$/HfAlO) 에 대한 전기적 특성 평가
2010
Hui-Uk Yu
Gun Ho Park
Gi-Hyeon Nam
Hong Bae Jeong
Won-Ju Jo
Keywords:
Materials science
Condensed matter physics
tunnel barrier
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]