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エッチスットップ層を通してのドライエッチング損傷により生ずるIn‐Ga‐Zn‐O薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の異常増加
エッチスットップ層を通してのドライエッチング損傷により生ずるIn‐Ga‐Zn‐O薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の異常増加
2016
Koretomo Daichi
Toda Tatsuya
Matsuda Tokiyoshi
Kimura Mutsumi
Furuta Mamoru
Keywords:
Chemical physics
Analytical chemistry
Physics
Engineering physics
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