Photoluminescence and Raman Scattering of ZnSeZnTe Superlattices

1992 
Optical properties of ZnSeZnTe superlattices grown on GaAs within critical thickness (about 2 nm) by molecular beam epitaxy are measured as a function of thickness ratio by photoluminescence and Raman scattering. High-quality superlattices are obtained by deposition of 500 cycles without buffer layers and their photoluminescence can be changed from blue to red color by the thickness ratio. Blue emission originates from exciton complexes of bound excitons at Te atoms and clusters. The frequency shift of ZnSe- and ZnTe-like phonons is explained well by an elastic model taking into account of lattice mismatch. The sound velocities estimated from the LA phonon folding observed by Raman scattering show hardening of the ZnSe lattice and softening of the ZnTe lattice. Die optischen Eigenschaften von ZnSeZnTe-Ubergittern, die durch MBE auf GaAs innerhalb der kritischen Dicke (≈ 2 nm) hergestellt wurden, werden als Funktion des Dickenverhaltnisses mittels Photolumineszenz und Raman-Streuung gemessen. Ablagerung von 500 Zyklen ohne Pufferschicht fuhrt zu qualitativ hochwertigen Ubergittern, deren Photolumineszenz durch das Dickenverhaltnis von blau bis rot variiert werden kann. Die blaue Emission entsteht in Exzitonenkomplexen mit Te-Atomen und -Atomgruppen. Die Frequenzverschiebung von ZnSe-Typ- und ZnTe-Typ-Phononen wird durch ein elastisches Modell unter Berucksichtigung der Gitterfehlanpassung gut erklart. Aus der LA-Phononenfaltung, die mittels Ramanstreuung beobachtet wird, wird die Schallgeschwindigkeit abgeschatzt. Es zeigt sich ein Harten des ZnSe-Gitters und ein Erweichen des ZnTe-Gitters.
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