Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur utilisant la technique de connexion groupée par thermocompression, et dispositif semi-conducteur fabriqué par ledit procédé

L'invention concerne un procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur utilisant la technique de connexion groupee par thermocompression (gang bonding), et un dispositif semi-conducteur fabrique par ledit procede. Le procede comprend une etape de preparation d'un substrat de support soutenant une pluralite de structures semi-conductrices empilees alignees. Chacune des structures semi-conductrices empilees comprend une premiere couche semi-conductrice conductrice, une deuxieme couche semi-conductrice conductrice et une region active intercalee entre la premiere et la deuxieme couche semi-conductrice conductrice. Un element comportant des premieres electrodes de plomb et des deuxiemes electrodes de plomb est prepare pour correspondre a la pluralite de structures semi-conductrices empilees. Ensuite, la pluralite de structures semi-conductrices empilees est connectee a l'element tout en etant maintenue sur le substrat de support. Une fois la pluralite de structures semi-conductrices empilees connectee a l'element, ce dernier est divise. Il est donc possible de simplifier un procede de connexion de puce et de reduire considerablement le temps necessaire.