AlGaN紫外探测器p电极的Ni/Au/Ni/Au欧姆接触结构研究

研究了AlGaN半导体p电极的Ni/Au/Ni/Au接触结构的性能和组织结构。退火前,p电极接触具有明显的整流特性。经空气中550℃/3 min一次退火和N。气氛中750℃/30 s二次退火后,电极呈现出了良好的欧姆接触。采用扫描电镜（Scanning Electron Microscope,SEM）、透射电镜（Tansmission Electron Microscope,TEM）、能量分散谱仪（Energy Dispersive Spectrometer,EDS）和X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS）观察了电极退火后金半界面微结构的演化过程。结果表明,完全退火后的p电极界面及金属层出现了明显的互扩散和界面反应现象;金-半界面上形成了存在良好共格/半共格关系的外延结构。初始沉积的金属电极分层现象消失,形成了单一的电极结构。Ni向外扩散并与0发生反应,Au扩散至p-GaN表面。在金半接触界面上,Ga扩散至金属电极,造成界面附近的金属层中富集Au和Ga元素;Au和Ni明显扩散至半导体表层,在金半界面附近形成了Au、Ga和Ni富集现象。这些现象应该对于降低势垒高度和形成欧姆接触具有重要作用。