配線基板、その製造方法、非晶質ガラス、配線基板用セラミック組成物、電子回路装置、電子計算機用モジュール、および電子計算機

(57)【要約】 【目的】９００〜１０５０℃で焼結し、比誘電率が小さ く、熱膨張係数がシリコンと整合し、曲げ強度の大きい セラミック配線基板およびその製造方法。 【構成】軟化温度が８５０〜１１００℃のガラス、すな わち、図１（ＳｉＯ 2 −Ｂ 2 Ｏ 3 −Ｒ 2 Ｏ系三角組成図。小 円の位置により各組成が示され、小円内の数字は組成番 号を示す）において、第１、第３、第１０、第１１、第 ４の組成を示す点をそれぞれ結ぶ線により囲まれる領域 内（線上含む）の点の示す組成を有するガラスを原料と して用いる。バインダには、水系分散型粒子を用い、焼 成工程においてグリーンシートを厚さ方向に加圧する。