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Acemap > Paper > C-6-10 導電膜断面上に成長させたZnOナノロッドを電子放出源とした横方向電界放出型発行デバイスの構造の改良(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

C-6-10 導電膜断面上に成長させたZnOナノロッドを電子放出源とした横方向電界放出型発行デバイスの構造の改良(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

2015 
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