CROSS resistive memory array structure and preparation method

本发明公开了一种阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法。 该结构包括：衬底，衬底上的衬底隔离层，衬底隔离层上方间隔排列的由金属层和隔离层重复叠加组成的条形结构，垂直于衬底隔离层和条形结构的间隔排列的金属柱，所述金属柱与衬底隔离层和条形结构之间存在阻变层。 采用本发明的方法及其结构显著提高了集成密度；避免二极管在尺寸缩小后出现的提供电路能力不足的问题；实现多层的交叉阵列结构，显著降低了制造成本，非常适合大规模生产。