Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einem high-k-Gate-Dielektrikum

Ein Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einem high-k-Gate-Dielektrikum wird mit den folgenden Verfahrensschritten ausgefuhrt: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats mit einem Kanalbereich, selektives Aufbringen einer Opferschicht auf dem Halbleitersubstrat im Kanalbereich, Ausbildung einer Gate-Elektrode uber der Opferschicht und einer Source- und einer Drain-Elektrode im Halbleitersubstrat beiderseits des Kanalbereichs, Entfernung der Opferschicht uber dem Kanalbereich unter der Gate-Elektrode und Aufbringen einer high-k-Gate-Dielektrikumschicht wenigstens uber dem Kanalbereich unter der Gate-Elektrode.