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Acemap > Paper > ミスト化学蒸着法を用いて蒸着した非晶質Sn-Ga-O薄膜デバイスのメモリスタ特性【JST・京大機械翻訳】

ミスト化学蒸着法を用いて蒸着した非晶質Sn-Ga-O薄膜デバイスのメモリスタ特性【JST・京大機械翻訳】

2020 
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