Алгоритмические программы подбора оптимальных условий роста при выращивании эпитаксиальных слоев на основе GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

The algorithm was worked out, witch allows to define obtained GaAs-based layers characteristics and the most significant epitaxy process technological parameters on the base of half-empiric dependences, if MOCVD process carriage conditions are known.