PECVD生长nc—Si：H膜的沉积机理分析

ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜具有显著不同α－Ｓｉ：Ｈ与μｃ－Ｓｉ：Ｈ膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发，定性地分析了本征ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ与掺磷ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ膜的沉积机理，并提出了进一步改善膜层质量的新途径。