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Si基板上に形成した多結晶Bi4-xLaxTi3O12薄膜の容量‐電圧(C‐V)ヒステリシス特性と界面状態の評価
Si基板上に形成した多結晶Bi4-xLaxTi3O12薄膜の容量‐電圧(C‐V)ヒステリシス特性と界面状態の評価
2006
kouno atusi
nisikawa musasi
haku hiroyuki
Keywords:
Stereochemistry
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