半導体搭載用放熱基板材料、その製造方法、及びそれを用いたセラミックパッケージ

(57)【要約】 【課題】 熱伝導率がＣＭＣクラッド材より勝れ、且つ 容易に打ち抜きプレスにて加工出来るセラミックパッケ ージの放熱基板として半導体搭載用放熱基板と、銅クラ ッド型半導体搭載用放熱基板と、それらの製造方法と、 それを用いたセラミックパッケージとその製造方法とを 提供すること。 【解決手段】 半導体搭載用放熱基板材料は、モリブデ ン圧粉体の粉末間の空隙に、溶融した銅を含有浸透した モリブデンと銅との複合体を圧延した銅−モリブデン複 合圧延体であって、板材の最終圧延方向において、３０ 〜８００℃の線膨張係数が８．３×１０ −６ ／Ｋ以下で ある。