Transistors a base de nitrure de gallium et procedes associes

La presente invention se rapporte a des transistors a base de nitrure de gallium, et a des procedes associes. Les transistors selon l'invention peuvent etre utilises dans des applications de puissance, etant donne qu'ils amplifient un signal d'entree afin de produire un signal de sortie presentant une puissance plus elevee. Les transistors selon l'invention peuvent etre concus pour transmettre la plus grande partie du signal de sortie dans un canal de transmission specifique (defini en fonction de la frequence), tout en reduisant au minimum la transmission dans les canaux adjacents. Cette fonction confere aux transistors une excellente linearite, ce qui genere une grande qualite de signal et limite les erreurs dans les donnees transmises. Les transistors peuvent etre concus pour atteindre des valeurs d'ACPR peu elevees (signe d'une excellente linearite), tout en fonctionnant a de hauts rendements de drain et/ou de hautes puissances de sortie. De telles proprietes permettent aux transistors d'etre utilises dans des applications de puissance RF, notamment dans des applications de puissance de troisieme generation basees sur la modulation AMRC large bande.