Dispositif semi-conducteur et procédé pour la fabrication de celui-ci

Le dispositif semi-conducteur de l’invention inclut une couche de semi-conducteur en saillie, faisant saillie depuis un plan du corps de base, une electrode grille formee au-dessus de la couche de semi-conducteur en saillie, une pellicule d’isolation de la grille disposee entre l’electrode grille et la couche de semi-conducteur en saillie, et un transistor a effet de champ (FET) de type ailette ayant une zone source/drain disposee dans la couche de semi-conducteur en saillie. Le dispositif semi-conducteur comporte, sur son substrat, une zone formant elements ayant le FET de type ailette, un sillon dispose dans le substrat du semi-conducteur pour isoler la zone formant elements de l’autre zone formant elements, et une pellicule d’isolation pour l’isolation des elements dans le sillon. La zone formant elements a un plan de substrat peu profond creuse a partir de la surface superieure du substrat du semi-conducteur de sorte a etre moins profond que le fond du sillon, une partie convexe du semi-conducteur en saillie a partir du plan du substrat peu profond et formee par une partie du substrat du semi-conducteur, et une pellicule d’isolation sur le plan du substrat peu profond. La couche de semi-conducteur en saillie du FET de type ailette est formee par une partie en saillie de la pellicule d'isolation de la partie convexe du semi-conducteur.