Systeme et procede de depot de couche atomique active par plasma

L'invention concerne un procede permettant de deposer un film sur un substrat au moyen d'un procede de depot de couche atomique active par plasma (PEALD), qui consiste a disposer le substrat dans une chambre de processus configuree afin de faciliter le processus PEALD. On introduit un premier materiau de processus a l'interieur de la chambre de processus, un second materiau de processus etant egalement introduit a l'interieur de la chambre de processus. Une puissance electromagnetique superieure a 600W est couplee a la chambre de processus pendant l'introduction du second materiau de processus afin de generer un plasma qui accelere une reaction de reduction entre le premier et le second materiau de processus au niveau d'une surface du substrat. Le film est forme sur le substrat par introduction alternative du premier et du second materiau de processus.