Cible de zinc dopée

La presente invention concerne generalement une cible de pulverisation constituee de zinc et d'un dopant. Le zinc est utilise pour des matieres semi-conductrices d'oxyde metallique, telles qu'un IGZO, de l'oxyde de zinc et de l'oxynitrure de zinc. Le zinc peut etre administre par pulverisation d'une cible de zinc dans une atmosphere souhaitee. Si une cible de pulverisation de zinc pure est utilisee, un film stable ne peut pas etre produit a moins que la mobilite soit sacrifiee a au-dessous de 10 cm 2 /V-s. Par ajout d'un dopant, tel que le gallium, non seulement un film stable peut etre depose, mais le film aura une mobilite superieure a 30 cm 2 /V-s. Le dopant peut etre incorpore directement dans le zinc ou comme cible de pulverisation separee directement adjacente a la cible de pulverisation de zinc.