外延Pb（Zr0．2Ti0．8）O3薄膜中畴生长与所加脉冲的关系

采用柱状畴的理论模型，研究了用原子力显微镜的探针在外延Pb（Zr0．2Ti0．8）O3薄膜中形成的纳米畴的生长与所加脉冲的关系。指出在PZT薄膜中畴的半径随所加脉冲的持续时间的增加以对数方式增大，随脉冲电压的增加而线性增大。理论计算与试验结果相吻合。