Matériau de type pérovskite à constante diélectrique k élevée et ses procédés de fabrication et d'utilisation

L'invention porte sur des materiaux et sur des dispositifs a constante dielectrique k elevee, par exemple des condensateurs de DRAM, et sur des procedes de fabrication et d'utilisation de ceux-ci. L'invention porte egalement sur divers procedes de formation de films de perovskite, dont des procedes dans lesquels un materiau de type perovskite est depose sur le substrat par un procede de depot en phase vapeur pulse entrainant la mise en contact du substrat avec des precurseurs metalliques formant un materiau de type perovskite. Dans un tel procede, le processus est effectue avec dopage ou alliage du materiau de type perovskite avec une espece metallique de plus grande mobilite et/ou volatilite par rapport a l'espece metallique presente dans les precurseurs metalliques formant un materiau de type perovskite. Dans un autre procede, le materiau de type perovskite est expose a une temperature elevee pendant une duree suffisante pour faire cristalliser le materiau de type perovskite ou pour amplifier la cristallisation du materiau de type perovskite, le materiau de type perovskite etant ensuite amene a croitre dans des conditions de depot en phase vapeur pulse. L'invention porte sur diverses compositions de perovskite, comprenant : (Sr,Pb)TiO 3 ; SrRuO 3 ou SrTiO 3 , dope par Zn, Cd ou Hg ; Sr(Sn, Ru)O 3 et Sr(Sn,Ti)O 3 .