Physical Properties of (n+)SrTiO3 Films

The physical properties of sputtered SrTiO3 films, determined from photoelectrochemical behavior and conductivity measurements, are examined. High ionized donor density, small carrier diffusion length, and low mobility characterize the n+-type semiconducting films in which the carriers enter self-trapped states as a result of disorder occuring in the films. Es werden die physikalischen Eigenschaften gesputterter SrTiO3-Schichten untersucht, die aus dem photoelektrochemischen Verhalten und Leitfahigkeitsmessungen bestimmt werden. Eine hohe Dichte ionisierter Donatoren, eine kleine Ladungstragerdiffusionslange und niedrige Beweglichkeit charakterisieren die n+-leitenden Halbleiterschichten, in denen die Ladungstrager selbstgetrapte Zustande als Ergebnis von Fehlordnung in diesen Schichten besetzen.