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サファイアまたはシリコン上にエピタキシャルに成長させたin situ 高濃度または低濃度ドープまたはSi注入したGaN上でのTiAl Ohm接触
サファイアまたはシリコン上にエピタキシャルに成長させたin situ 高濃度または低濃度ドープまたはSi注入したGaN上でのTiAl Ohm接触
2012
F. Cayrel
Olivier Menard
Arnaud Yvon
Nicolas Thierry-Jebali
C. Brylinsky
Emmanuel Collard
D. Alquier
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