Cible de pulvérisation cathodique de tantale et son procédé de fabrication

L'invention concerne une cible de pulverisation cathodique de tantale qui est caracterisee en ce que, dans la surface de pulverisation de celle-ci, le taux d'orientation du plan (200) est de 70 % ou moins, le taux d'orientation du plan (222) est de 10 % ou plus, la dimension moyenne de grain cristallin est de 50-150 µm et la variation en dimension de grain cristallin est de 30 µm ou moins. Le controle de l'orientation cristalline de la cible rend possible d'accelerer la vitesse de pulverisation cathodique. En consequence, il est possible de former un film ayant l'epaisseur requise en une courte periode de temps et le rendement peut ainsi etre ameliore. De plus, le controle de l'orientation cristalline dans la surface de pulverisation cathodique de la cible a l'effet de rendre possible de rendre minimale une decharge electrique anormale pendant une pulverisation cathodique.