In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究

为了考察空间用低维红外光电材料与器件在辐射环境下的性能退化规律,本文对未掺杂的In0.22Ga0.78As/Ga As量子阱材料开展了1Me V电子束辐照试验,注量达1×1016cm-2,并且在辐照前后进行了光致发光谱测试,结果显示:样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化,量子阱的发光峰中心波长发生了先红移后蓝移的现象。经分析认为原因有:1)电子束轰击量子阱材料晶格,发生能量传递,在材料中引入缺陷,增加了非辐射复合中心密度,导致光致发光强度降低。2)量子阱的发光峰中心波长发生了先红移后蓝移的原因是经电子束辐照后的量子阱中同时存在由带能粒子的入射导致的应力的释放和由于晶格位移产生的原子的互混。最终辐照后的In0.22Ga0.78As/Ga As量子阱的发光波长,取决于应变弛豫和扩散的共同作用。