반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟의 제조방법

본 발명은 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟 제조방법에 관한 것으로서, 구리분말과 마그네슘 분말을 그라파이트 소재로 된 몰드 내에 혼합하여 충진하는 단계와, 구리와 마그네슘 분말이 충진된 몰드를 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버 내에 장착하는 단계와, 챔버 내부를 진공화하는 단계와, 몰드 내의 구리와 마그네슘 분말에 설정된 제1압력을 유지하면서 설정된 승온패턴에 따라 승온시키면서 최종 목표온도에 도달할 때까지 승온시키는 단계와, 라 단계의 최종 목표온도에서 1 내지 10분 더 유지하는 유지단계와, 제1압력보다 낮게 설정된 제2압력이 되게 감압하여 챔버 내부를 냉각하는 냉각단계를 포함한다. 이러한 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟 제조방법에 의하면, 방전 플라즈마 소결 공정을 이용하여 스퍼터링 타겟에 적합하게 소결체 제조시 고밀도화가 가능하고 단일 공정으로 짧은 시간에 입자 성장이 거의 없는 균질한 조직 및 고순도의 소결체를 제조할 수 있는 이점이 있다.