Elément de contrainte de source/drain à couches multiples

La presente invention concerne un procede pour former un dispositif semi-conducteur (10) comprenant la formation d'un evidement (26) dans une region source et un evidement (28) dans une region drain du dispositif semi-conducteur. Le procede comprend en outre la formation d'une premiere couche de materiau semi-conducteur (32) dans l'evidement (26) de la region source et d'une seconde couche de materiau semi-conducteur (34) dans l'evidement (28) de la region drain, chaque premiere couche de materiau semi-conducteur (32) et chaque seconde couche de materiau semi-conducteur (38) sont formees par l'utilisation d'un materiau de contrainte ayant un premier rapport d'une concentration atomique d'un premier element et d'une concentration atomique d'un second element, ledit premier element est du silicium et un premier niveau de concentration d'un materiau dopant. Le procede comprend en outre la formation de couches de materiaux semi-conducteurs additionnelles (36, 38, 40, 42) chevauchant la premiere couche de materiau semi-conducteur (32) et la seconde couche de materiau semi-conducteur (34) qui ont un rapport de concentration atomique different du premier element et du second element.