Fe_（4-x）Ga_xN薄膜的制备及其电导行为

利用电子束蒸发沉积的方法制备了不同Ga含量的FeGa合金薄膜,采用XRD和EDS对制得的FeGa合金薄膜的物相和成分进行了分析。合金薄膜在氨/氢比1：1的气氛中500℃下被氮化,使用XRD、SEM对氮化后薄膜的物相组成、微观形貌进行了分析,并通过Hall测试系统对氮化后薄膜的电导行为进行了分析。结果表明,氮化得到了钙钛矿结构的Fe4-xGaxN,氮化后晶粒有轻微长大,Ga元素在薄膜中分布均匀;随着Ga含量的增大,薄膜的载流子浓度和电子迁移率都呈现出降低的趋势,电阻率逐渐增大。