质子在a-SiO 2 中的扩散机制

半导体电子器件中质子的扩散会导致器件性能下降。然而，迄今为止关于质子在氧化物中的扩散机制目前尚未完全清楚。本文从原子层面研究了质子在a-SiO2中的扩散行为。采用从头计算分子动力学模拟方法，计算得到了质子在a-SiO2中的扩散系数和活化能。同时，观察到了质子扩散路径。研究发现，质子主要是通过与a-SiO2中的氧原子形成和解离化合键的形式进行扩散。本文提出了质子在a-SiO2中扩散的2种方式：跳跃扩散和旋转扩散，并分别计算了这2种扩散方式所需要的势垒。