均一なベイカンシ欠陥を有するシリコン単結晶インゴット、シリコンウエハ、シリコン単結晶インゴットの製造装置、及びシリコン単結晶インゴットの製造方法

【課題】 酸化膜耐圧特性に悪影響を及ぼす臨界サイズ以下の微細なベイカンシ欠陥を除去し、半径方向に均一なベイカンシ欠陥密度及び分布を有するシリコン単結晶インゴットを製造すること。 【解決手段】 チョクラルスキ法によってシリコン単結晶インゴットを製造する際、シリコン単結晶インゴットの温度が１０００乃至１１００℃である区間において、インゴットの温度変化量が２０Ｋ/ｃｍ、または、これより小さい値の状態でシリコン単結晶インゴットを成長させる。 【選択図】 図４