层状ZrB 2 -SiC-G陶瓷在1300℃下的抗氧化性及其残余强度的研究

采用流延–层叠–热压的方法制备了不同石墨界面层的层状ZrB 2 -SiC-G超高温陶瓷, 研究其在1300℃下氧化0.5~10 h的氧化行为以及氧化时间对室温残余强度的影响, 观察了增重量随氧化时间的变化, 并对其物相和形貌进行了分析。结果表明, 石墨界面层中添加40vol% ZrB 2 和10vol% SiC制备的层状ZrB 2 -SiC-G超高温陶瓷, 室温弯曲强度为670 MPa, 断裂韧性为13.7 MPa·m 1/2 , 氧化10 h后弯曲强度仍达429 MPa, 断裂韧性仍达10.25 MPa·m 1/2 , 优异的残余强度是由于表面形成了致密的SiO 2 玻璃层而阻止了材料内部被氧化。