Support memoire irreversible à deformation plastique et procede de realisation d’un tel support

Le support memoire comporte un reseau de cellules memoire (3) adressables par des premiers (1) et deuxiemes (2) conducteurs. Chaque cellule memoire (3) comporte une zone (10) d'une couche active (8) initialement electriquement isolante et pouvant etre rendue electriquement conductrice par deformation plastique localisee (4), de maniere a connecter selectivement les premier (1) et deuxieme (2) conducteurs associes. Une information binaire stockee dans la cellule memoire (3) est determinee par l'etat de conduction electrique de la zone (10) correspondante de la couche active (8). La couche active (8) peut etre constituee par une resine chargee. Le procede de realisation du support comporte l'assemblage d'un support memoire vierge dont la couche active (8) est dans l'etat initial isolant, la fabrication d'une matrice d'estampage ayant un motif d'estampage correspondant a l'information a stocker et l'estampage du support memoire par l'intermediaire de la matrice d'estampage.